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Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
5000
C ISS = C GS + C GD
10
V DD = 15V
8
1000
C OSS ? C DS + C GD
6
C RSS = C GD
4
WAVEFORMS IN
V GS = 0V, f = 1MHz
2
DESCENDING ORDER:
I D = 35A
I D = 16A
100
0.1
1
10
30
0
0
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
FDB8896 Rev. B 2
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